تبلیغات
ایران مقاله - ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی
 
ایران مقاله
مقالات مربوط به ups مقالات رشته های فنی مهندسی پزشکی و سلامت
درباره وبلاگ


این وبلاگ جهت ارائه مطالب مفید در زمینه UPS ، برق والکترونیک و ومقالات فنی مهندسی تشکیل شده است

مدیر وبلاگ : MORTEZA KAZEMI
صفحات جانبی
نویسندگان
چکیده:   (۴۲۷ مشاهده)
با محدود شدن طول ترانزیستورهای ‌سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به‌ شمار می‌روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی معرفی شده است. افزاره پیشنهادی با ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با دی‌الکتریک دو قسمتی و ساختار پایه مقایسه شده است. افزاره پیشنهاد شده یک نانولوله کربنی زیگزاگ (013) به قطر1 نانومتر است و شامل گیت با دو عایق متفاوت با ثابت‌های دی‌الکتریک 16 و 50 می‌باشد. ناحیه کانال از چهار قسمت ناخالصی نوع p به ترتیب با چگالی‌های ناخالصی، 1nm-8/0، 1nm-6/0،1nm-4/0 و 1nm-2/0 ساخته شده است. طول هر بخش معادل 5 نانومتر می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد تزریق ناخالصی در کانال به بهبود اثرهای کانال کوتاه همانند کاهش سد پتانسیل ناشی از القای درین و نوسان‌های زیرآستانه کمک می‌کند و موجب کاهش جریان نشتی و افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش می‌گردد. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات افزاره‌ی پیشنهاد شده از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.
متن کامل [PDF 3034 kb]   (۱۷۲ دریافت)    



نوع مطلب : مقالات پر بازدید، 
برچسب ها : ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی، دی الکتریک دو قسمتی، جریان نشتی، اثرهای کانال کوتاه، نسبت جریان.،
لینک های مرتبط :
 
لبخندناراحتچشمک
نیشخندبغلسوال
قلبخجالتزبان
ماچتعجبعصبانی
عینکشیطانگریه
خندهقهقههخداحافظ
سبزقهرهورا
دستگلتفکر


موضوعات
آمار وبلاگ
  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
پیج رنک سایت mups.mihanblog.com/